مجید حیدرزاده - Faculty of Engineering, Shahrekord University
آرش دقیقی - Faculty of Engineering, Shahrekord University
زهرا سپهری - Department of Electrical and Computer Engineering

در این مقاله، برای اولین بار، پتانسیل توزیع شده در گیت جلویی و گیت پشتی به کمک حل معادلات پوواسون دو بعدی در کانال ادوات سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک تخلیه کامل محاسبه گردیده است. سپس با توجه به تعریف ولتاژ آستانه رابطه کلی ولتاژ آستانه این افزاره استخراج گردیده است. معادلات پوواسون محاسبه شده برای گیت جلویی و پشتی با در نظر گرفتن تقریب تغییرات سهمی وار پتانسیل بین مرز گیت جلویی و پشتی برای مقادیر پایین ولتاژ درین و با استفاده از مدل خازنی افزاره انجام گردیده است. با محاسبه پتانسیل در بدنه ترانزیستور با طول کانال ۲۲ نانومتر و مقایسه آن با نتایج شبیه سازی ماسفت، تقریب بسیار خوبی در ولتاژهای درین کم بدست آمده است. تغییرات ضخامت عایق گیت، فیلم سیلیکونی، عایق دوم و عایق اول بر روی ولتاژ آستانه نشان داده شده است. مقایسه این مقادیر با نتایج شبیه سازی ساختار ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه، بیانگر تقریب بسیار خوب معادلات تحلیلی میباشد و کاربرد نتایج حاصل در این مقاله برای محاسبات ولتاژ آستانه را متضمن می­شود.

Ultra-thin-body, Double insulating SOD, ۲ dimensional poisons’ equation, potential distribution, MOSFET., ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه, معادلات پوواسون دوبعدی, توزیع پتانسیل, ماسفت