معرفی
استان
چهارمحال و بختیاری
شهر
شهرکرد
سمتهای علمی و اجرایی آرش دقیقی در کنفرانس ها و نشستهای معتبر ایران
- دانشگاه شهرکرد (عضو هیات علمی)
مقالات بین المللی آرش دقیقی
"Diamond-shaped body contact for on-state breakdown voltage improvement of SOI LDMOSFET", Elsevier BV, (2017), Vol 129, No : 182-187
"Output-Conductance Transition-Free Method for Improving the Radio-Frequency Linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET Circuits", Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), (2014), Vol 61, No 7: 2257-2263
"Microstructure and phase evolution of alumina–spinel self-flowing refractory castables containing nano-alumina particles", Elsevier BV, (2011), Vol 37, No 3: 1003-1009
"Impact of body resistance on RF linearity of SOI MOSFET circuits", IEEE, (2011), Vol , No :
"Experimental characterisation of PD SOI MOSFET devices fabricated with diamond-shaped body contact", Informa UK Limited, (2011), Vol 98, No 6: 801-812
"Experimental characterisation of PD SOI MOSFET devices fabricated with diamond-shaped body contact", Informa UK Limited, (2011), Vol 98, No 6: 801-812
"A width-dependent body-voltage model to obtain body resistance in PD SOI MOSFET technology", IEEE, (2010), Vol , No :
"3-D simulation of a 45 nm Partially Depleted silicon on insulator (SOI) transistor with diamond-shaped body contact", IEEE, (2010), Vol , No :
"The effect of nano-size additives on the electrical conductivity of matrix suspension and properties of self-flowing low-cement high alumina refractory castables", Elsevier BV, (2010), Vol 36, No 4: 1411-1416
"Automated Conductometry Measurements of Simple Electrolytes and Micellar Solutions Using a Voltage Divider Technique", Springer Science and Business Media LLC, (2010), Vol 39, No 7: 959-966
"An area efficient body contact for low and high voltage SOI MOSFET devices", Elsevier BV, (2008), Vol 52, No 2: 196-204
مقالات آرش دقیقی در کنفرانس های داخلی
طراحی نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ تمام مجتمع در فرکانس 5 GHz با استفاده از تکنولوژی µmTSMC 0/18
سال 1387
ارائه شده در دومین همایش ملی مهندسی برق کامپیوتر و فناوری اطلاعات
بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس 45nm نانومتر
سال 1388
ارائه شده در دومین کنفرانس ملی مهندسی برق
شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر
سال 1388
ارائه شده در دومین کنفرانس ملی مهندسی برق
A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET
سال 1390
ارائه شده در نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
بررسی اثرات دمایی زیرپایه های سیلیکون روی الماس درپروسه 45nm
سال 1390
ارائه شده در نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
یک ساختارجدید افزاره سیلیکون روی عایق دولایه برای بهبود شیب زیرآستانه
سال 1391
ارائه شده در بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering
سال 1392
ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
نانو ترانزیستور سیلیکون رو یالماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر(DIBL)
سال 1392
ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه
سال 1392
ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
سال 1392
ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق
سال 1394
ارائه شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر
فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه
سال 1394
ارائه شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر
بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره 28nm-UTBB SOI
سال 1394
ارائه شده در سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
تحلیل و بررسی اثرات دمایی ترانزیستور nm 22 سیلیکون روی الماس ، مقایسه آن با همتا سیلیکون روی عایق و همچنین بررسی تغییرات دمایی ترانزیستورهای کناری
سال 1394
ارائه شده در سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر
سال 1394
ارائه شده در دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر
Thermal effects analysis and comparison of the 22nm silicon-on-diamond transistor with the similar silicon-on-insulator transistor and reduction of the off current of neighboring transistors
سال 1395
ارائه شده در اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر
مدل ولتاژ آستانه ی ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی
سال 1395
ارائه شده در اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر
ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی
سال 1395
ارائه شده در کنفرانس بین المللی مهندسی برق
مدلسازی فازی ولتاژ آستانه در ماسفتهای سیلیکون روی الماس دولایه
سال 1395
ارائه شده در چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر
بررسی اثر طول ناحیه اکساید در ترانزیستورهای نسبی سیلیکون روی عایق
سال 1395
ارائه شده در هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
ترانسیستور توام تخلیه ی سیلیکوى روی عایق با بدنه و لایه ی نازک اکساید مدفون شده UTBB با طول گیت 22 نانومتر و بررسی عملکرد آن با اعمال بایاس گیت دوم
سال 1395
ارائه شده در کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر و مهندسی پزشکی
استفاده عملی از کنترلر فازی جهت جایگزینی کنترلر سروو ولوهای هیدرولیکی در مجتمع فولاد مبارکه
سال 1396
ارائه شده در کنفرانس بین المللی تحقیقات بنیادین در مهندسی برق
بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
سال 1396
ارائه شده در سومین کنفرانس سراسری مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
Room Air Temperature Reduction by Using Different Types of Thermal Insulation
سال 1396
ارائه شده در چهارمین کنفرانس ملی مدیریت ساخت و پروژه
شبیه سازی ترانزیستور 45 نانومتر سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس و مقایسه آن با ترانزیستور مرسوم
سال 1396
ارائه شده در پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی
بررسی مقاومت بدنه در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
سال 1396
ارائه شده در دومین کنفرانس ملی مهندسی برق و کامپیوتر
بررسی و محاسبه تیوری ولتاژ شکست حالت روشن در افزاره سیلیکون روی عایق با طول کانال 54 نانومتر
سال 1396
ارائه شده در کنفرانس ملی کاربرد فناوری های نوین در علوم و مهندسی، برق و کامپیوتر و IT
تاثیر غلظت زیرلایه بر میزان چگالی الکترون ها در ناحیه ی کانال ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق
سال 1397
ارائه شده در سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
بررسی اثر همشنوایی از طریق بستر در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه
سال 1397
ارائه شده در پنجمین کنفرانس بین المللی پژوهش های کابردی در مهندسی برق مکانیک و مکاترونیک
ارائه مدل سیگنال کوچک ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه و محاسبه فرکانس قطع
سال 1397
ارائه شده در چهارمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق، کامپیوتر
بررسی وابستگی زمانی ولتاژ آستانه ترانزیستور به میزان غلظت ناخالصی زیر لایه در ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق
سال 1397
ارائه شده در چهارمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق، کامپیوتر
محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی
سال 1401
ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
افزاره نانو سیلیکون روی عایق دولایه جهت بهینه سازی اثرات خودگرمایی وکاهش جریان نشتی
سال 1393
ارائه شده در هفدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲ لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک
سال 1401
ارائه شده در کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
شبیه سازی ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲لایه با روشهای کوانتومی و مقایسه آن با روشهای کلاسیک و مدلسازی
سال 1401
ارائه شده در کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
شبیه سازی پروسه ساخت ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با کاشت دو مرحله ای نواحی سورس و درین
سال 1402
ارائه شده در اولین کنفرانس بین المللی و هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و سیستم های هوشمند
مقالات آرش دقیقی در ژورنال های داخلی
بدست آوردن رابطه ی ولتاژ آستانه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی
سال 1398
ارائه شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران
بررسی و شبیه‌سازی تأثیر میزان غلظت ناخالصی زیرلایه بر زمان تأخیر کلیدزنی در ترانزیستورهای اثر میدان UTBB 22nm سیلیکون روی عایق دولایه
سال 1399
ارائه شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران
یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق
سال 1390
ارائه شده در فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق
کنترل سرعت موتور القایی تغذیه شده با مبدل ماتریسی با ولتاژ ورودی نامتعادل
سال 1390
ارائه شده در فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق
رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر
سال 1389
ارائه شده در فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق
Body Current Optimization Using Threshold-Voltage-Adjust-Implant Engineering in ۴۵nm SOI MOSFET
سال 1400
ارائه شده در مجله مهندسی برق مجلسی
Experimental PI Fuzzy Controller to Control Pinch-roll Pressure via Hydraulic servo-valves in Continuous Casting Machines in Mobarakeh Steel Company
سال 1399
ارائه شده در مجله مهندسی برق مجلسی
Temperature Effect Investigation of ۴۵nm Silicon-on-Diamond MOSFET Transistors
سال 1388
ارائه شده در مجله مهندسی برق مجلسی
An Investigation in the I-gate Body Contact for Partially Depleted SOI MOSFET
سال 1393
ارائه شده در مجله مهندسی برق مجلسی
A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering
سال 1392
ارائه شده در مجله مهندسی برق مجلسی
Crosstalk Enhancement in ۳۲ nm FD SOI MOSFET using HR Substrate and Multilayer BOX
سال 1390
ارائه شده در مجله مهندسی برق مجلسی
استخراج مدل مداری نزدیک به ولتاژ آستانه برای افزاره های سیلیکون بر روی الماس با عایق دو لایه به منظور محاسبه ولتاژ آستانه
سال 1402
ارائه شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران
محاسبه ولتاژ آستانه ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک به روش تحلیلی
سال 1402
ارائه شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران