اثر عامل کیلیت‌کننده بر ریخت و تحول فازی نانوذرات اسپینل سنتز شده به‌روش سل- ژل
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 305
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAME-38-4_003
تاریخ نمایه سازی: 2 اسفند 1399
چکیده مقاله:
هدف از این پژوهش، ارزیابی اثر عوامل کیلیت‌شونده گلیسیرول (کیلیت‌شونده سه‌دندانه‌ای،GLY) و اتیلن دی‌آمین (کیلیت‌شونده دودندانه‌ای، en) بر ریخت و تغییرات فازی نانوذرات اسپینل سنتز شده به‌روش سل - ژل است. مشخصه‌یابی نمونه‌ها با پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مجهز به طیف‌سنج تفکیک انرژی پرتو ایکس (EDX) انجام شد. نتایج فازیابی نمونه‌ها نشان داد که هر دو نمونه سنتز شده با عوامل GLY و en دارای فاز مکعبی اسپینل بودند. نمونه سنتز شده با اتیلن دی‌آمین دارای ریخت هرمی‌شکل و اندازه ذره در محدوده 55-50 نانومتر بود، درحالی که نمونه تهیه شده با گلیسیرول دارای ریخت کروی با اندازه ذرات کوچک‌تر در محدوده 25-20 نانومتر بود. درنهایت، سازوکار پیشنهادی برای تغییرات ریخت نانوذرات اسپینل مورد بحث قرار گرفت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد رضا لقمان استرکی
Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, P.O. Box ۸۳۱۴۵/۱۱۵, Iran.
حانیه قالی باف طوسی
Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, P.O. Box ۸۳۱۴۵/۱۱۵, Iran.
احسان محمد شریفی
Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, P.O. Box ۸۳۱۴۵/۱۱۵, Iran.
حسن شیخ
Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, P.O. Box ۸۳۱۴۵/۱۱۵, Iran.
امیر الحاجی
Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, P.O. Box ۸۳۱۴۵/۱۱۵, Iran.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :