طراحی ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا با پیوند ناهمگون GaN/AlGaN با گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 206
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-18-4_008
تاریخ نمایه سازی: 27 مهر 1400
چکیده مقاله:
در این مقاله، ترانزیستوری با قابلیت تحرک الکترون بالا (HEMT) با استفاده از پیوند ناهمگون GaN/AlGaN با لایه جدا کننده ذاتی و گیت پشتی پیشنهاد گردیده است. اثر گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی GaN بر رفتار DC و AC ترانزیستور مورد مطالعه قرار گرفته است. پارامترهای عملکرد مانند جریان درین، هدایت انتقالی، فرکانس قطع، حداکثر فرکانس نوسان، سویینگ زیر آستانه و DIBL برای همه طراحی ها محاسبه شده است. پارامترهای مذکور بین ساختارهای تک گیتی و دوگیتی پیشنهادی مقایسه شده است که حاکی از بهبود رفتار ترانزیستور با اضافه شدن گیت پشتی است. همچنین اثر اضافه نمودن لایه جدا کننده ذاتی بر پارامترهای ترانزیستور دو گیتی پیشنهادی بررسی گردیده است. محاسبه پاسخ فرکانسی نشان می دهد فرکانس قطع HEMT دو گیتی پیشنهادی برابر با ۲۷۲ است که نسبت به مقدار GHz ۱۳۲ مربوط به ساختار دو گیتی بدون لایه جدا کننده بهبود قابل ملاحظه ای یافته است. نتایج نشان می دهد، اضافه نمودن گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی هر دو باعث بهبود مشخصات DC و AC در HEMT می شوند.
کلیدواژه ها:
HEMT ، GaN ، Heterojunction ، Back Gate ، Intrinsic Spacer Layer ، HEMT ، GaN ، پیوند ناهمگون ، گیت پشتی ، لایه جدا کننده ذاتی
نویسندگان
زهیر کردرستمی
Shiraz Univ. of Tech.
کوروش حسنلی
Shiraz Univ. of Tech.
آناهیتا قادری
Shiraz Univ. of Tech.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :