کاهش مقاومت سطحی لایه ی نازک ITO باکمک لایه میانی Cu
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
تاریخ نمایه سازی: 15 تیر 1401
چکیده مقاله:
دراین پژوهش لایه نازک ITO/Cu/ITO بر روی شیشه به روش اسپاترینگ فرکانس رادیویی لایه نشانی شد. از لایه میانی مس برای کاهش مقاومت سطحی لایه نازک ITO استفاده شد. لایه میانی مس با ضخامت های ۱۰،۵ و۲۰ نانومتر برروی ITO لایه نشانی شد. مقاومت سطحی نمونه ها توسط دستگاه دستگاه پروب چهارنقطه ای و میزان عبور نمونه ها توسط طیف سنجی مرئی فرابنفش اندازه گیری شد. نتایج نشان داد مقاومت و عبور لایه نازک -ITO به ترتیب برابر Ω/sq ۲۴ و ۷۸ درصد در طول موج ۵۵۰ نانومتر است. . با اعمال لایه میانی مس مقاومت سطحی نمونه ها کاهش یافت و نمونه دارای ۲۰ نانومتر لایه میانی مس دارای کمترین میزان مقاومت به مقدار Ω/sq ۹ می باشد.
نویسندگان
دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشکده مهندسی مواد؛دانشگاه صنعتی مالک اشتر،اصفهان،ایران
دانشیار، دانشکده مهندسی مواد؛دانشگاه صنعتی مالک اشتر،اصفهان،ایران
استادیار دانشکده مهندسی مواد؛دانشگاه صنعتی مالک اشتر،اصفهان،ایران
دکتری ،دانشکده فیزیک،دانشگاه اصفهان،ایران
کارشناس ارشد،دانشکده فیزیک،دانشگاه شهیدبهشتی،تهران،ایران