شبیه سازی ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲لایه با روشهای کوانتومی و مقایسه آن با روشهای کلاسیک و مدلسازی

در این مقاله ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه عایق اول، الماس است که بر روی زیرلایه سیلیکونی قرار دارد و لایه عایق دوم دی اکسید سیلیکون میباشد که بر روی الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درین محدود شده است با استفاده از نرم افزار ISE-TCAD شبیه سازی ولتاژ آستانه ساختار به روشهای کلاسیک و کوانتومی گرادیان (چگالی صورت گرفته که پس از مقایسه و تحلیل نتایج این دو ،روش نیاز ارائه یک مدل فیزیکی متناسب با روش کوانتومی در ساختار احساس گردید. مدل فیزیکی پیشنهادی شامل خازن در بخشهای مختلف ساختار بوده که برای محاسبه مقادیر آنها از روش دقیق انتگرال بیضوی ناقص استفاده شده است. در نهایت با مقایسه نتایج شبیه سازی کوانتومی و مدلسازی خازنی به ازای تغییر مولفه های مختلف ساختار مانند ضخامت عایق اول ضخامت عایق دوم ضخامت کانال سیلیکونی ضخامت اکسید زیر گیت و پهنای عایق دوم صحت این مدل تایید شده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه ، گرادیان چگالی ، مدل سازی خازنی ، ولتاژ آستانه