اثر پرایمینگ با زمانها و شدتهای مختلف میدانهای الکترومغناطیس بر شاخصهای جوانه زنی و خصوصیات رشدی گیاهچه های نخود ( Cicer(arietinum

جهت بررسی اثر میدان الکترومغناطیس بر جوانه زنی و خصوصیات رشدی گیاهچه های نخود ، آزمایشی به صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی در سه تکرار در سال۱۴۰۱ در آزمایشگاه فیزیولوژی گیاهی دانشگاه آزاد اسلامی واحد میاندوآب انجام شد. برای انجام آزمایش، بذرها به مدت ۲ ، ۱۲ و ۲۲ دقیقه در معرض میدان الکترومغناطیس با شدتهای ۵، ۴۵ و ۸۵ میلی تسلا قرار گرفتند. بر اساس نتایج اثر متقابل زمان در شدتهای مختلف میدان الکترومغناطیسی بر کلیه صفات مورد بررسی معنیدار بود. بالاترین درصد جوانه زنی (۹۴/۷۳%)، سرعت جوانه زنی (۰/۲۱۹)، طول ریشه چه (۸/۵۴ cm)، طول ساقهچه (۹/۷۲ cm)، وزن خشک ریشه چه (۴۳/۵۷ mg) وساقه چه (۵۱/۷۹ mg) و کمترین مدت زمان جوانه زنی ۴/۵۵) روز) به بذرهای تیمار شده با شدت میدان الکترومغناطیسی ۴۵ میلی تسلابه مدت ۱۲ دقیقه اختصاص یافتند. بنابراین تیمار میدان الکترومغناطیسی ۴۵ میلی تسلا به مدت ۱۲ دقیقه به دلیل افزایشویژگیهای جوانه زنی و بهبود رشد گیاهچه های نخود توصیه میگردد.

کلیدواژه ها:

نخود ، جوانه زنی ، وزن خشک ، میدان مغناطیسی.