بهبود اثر خود گرمایی ترانزیستورهای ماسفت در فناوری سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از جاسازی نیترید سیلیسیم T شکل در ناحیه مدفون

ترانزیستورهای ماسفت با فناوری سیلیسیم بر روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. ولی وجود لایه عایقدر این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خود گرمایی میشوند. به منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، دراین مقاله، اثر خود گرمایی یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق (SOI MOSFET) در مقیاس نانومتر کاهشداده میشود. در طرح پیشنهادی، یک ناحیه T شکل از جنس نیترید سیلیسیم ((Si(۳)N(۴) در ناحیه مدفون اکسیدسیلیسیمی جاسازی می گردد. این امر باعث می گردد که مسیر گرمایشی برای بهبود اثر خود گرمایی ایجاد گردد و هدایتحرارتی لایه مدفون افزایش یابد. شبیه سازی ها نشان می دهد که علاوه بر حداکثر دمای شبکه که ۳۸۴ درجه کلوینمی باشد، ویژگی های الکتریکی افزاره نیز بهبودیافته است. عملکرد ساختار پیشنهادی و ساختار ماسفت مرسوم توسطنرم افزار ATLAS شبیه سازی می شوند و نشان داده می شود که ترانزیستور پیشنهادی دارای عملکرد بهتری نسبت بهساختار متداول از نظر قابلیت جریان دهی، ماکزیمم دمای الکترون در کانال، میدان الکتریکی، جریان درین بر حسب ولتاژدرین، دمای شبکه، توان حرارتی کل، چگالی جریان کل و قابلیت تحرک الکترون می باشد.

کلیدواژه ها:

پدیده خود گرمایی ، ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق ، تحرک حامل ، دمای شبکه