ارائه ساختار مقایسه کننده سه سطحی چند ورودی کامل بر پایه ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی

رشد فزاینده اندازه داده­ ها در سیستم­های پردازشی دیجیتال، باعث افزایش تعداد اتصالات بین بلوک­های مختلف سیستم­های پردازشی شده است، یک راهکار این است که با استفاده از طراحی و پیاده­سازی سیستم­های پردازشی چند سطحی، اندازه داده­های پردازشی را کاهش داد، از طرفی مساله مهم در پیاده­سازی سیستم­های پردازشی چند سطحی، استفاده از ترانزیستورهای است که قابلیت پیاده­سازی سیستم­های چند ارزشی را داشته باشند. بخاطر قابلیت ویژه ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله­کربنی در تنظیم ولتاژ آستانه­ مختلف، این ترانزیستورها گزینه مناسبی برای پیاده­سازی سیستم­های چند سطحی است و در مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه­هادی در پیاده­سازی سیستم­های چند سطحی انتخاب بهتری می­باشد. در این مقاله گزارشی از پیاده­سازی مقایسه­کننده سه­سطحی تک رقمی و دو رقمی بر پایه تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ارائه شده است. نتایج شبیه­سازی در محیط نرم­افزار HSPICE نشان می­دهد توان مصرفی مقایسه کننده سه سطحی دو رقمی ۵۵/۰ میکروات و زمان تاخیر انتشار ۷۰ پیکو ثانیه می­باشد، ضمنا پیاده­سازی مقایسه کننده­های پیشنهادی بر پایه تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی ۳۲ نانو متر انجام شده است.

کلیدواژه ها:

Carbon Nano Tube Field Effect Transistor ، Ternary ، Multiple-valued logic ، Digital ، ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی ، سه سطحی ، منطق چند ارزشی ، دیجیتال