سنتز لایه های نازک تک بلور بسیار شفاف NiO آلاییده با F توسط لایه نشانی افشانه

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 16

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-23-3_019

تاریخ نمایه سازی: 9 اردیبهشت 1403

چکیده مقاله:

در این کار، هدف اصلی بررسی یک ماده جدید مبتنی بر لایه های نازک NiO آلاییده با فلوئور با تکنیک لایه نشانی افشانه است. هگزا هیدرات نیترات نیکل Ni (NO۳) ۲.۶H۲O و فلوراید آمونیوم (NHF۴) با نسبت ۰۴/۰ F/Ni =  برای تهیه NiO آلاییده با F استفاده شد. خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک NiO آلاییده با F با حجم های محلول متفاوت NiO:F شامل ۵، ۱۰، ۱۵ و ۲۰ میلی لیتر با استفاده از روش اسپری مورد بررسی قرار گرفت. لایه های نازک آماده شده NiO آلاییده با F ماهیتی تک بلوری با ساختار مکعبی دارند، قله پراش (۱۱۱) جهت مرجح است، حداکثر اندازه بلورک ها ۲۱/۱۹ نانومتر است که برای حجم محلول ۲۰ میلی لیتر به دست آمد. خواص اپتیکی به دست آمده نشان می دهد که تمام لایه های نازک تولید شده، عبور خوبی در حدود ۸۰ درصد در ناحیه مرئی دارند. لایه های نازک NiO آلاییده با F که با ۲۰ میلی لیتر لایه نشانی شده اند، کمترین گاف نواری اپتیکی eV ۵۱/۳ و بیشترین مقدار انرژی اورباخ meV ۶۸۹/۰ است. با این حال، لایه نازک تهیه شده با ۵ میلی لیتر کمترین مقاومت الکتریکی Ω.cm ۲۳۱ را دارد، که می تواند به عنوان یک حسگر گاز استفاده شود.

کلیدواژه ها:

فلوئور ، NiO ، لایه های نازک ، تکنیک لایه نشانی افشانه ، ساختار تک بلوری

نویسندگان

سعید بن رماش

آزمایشگاه مواد، انرژی و محیط زیست، دانشگاه بسکره، الجزایر

مونیره مامی

دانشکده فیزیک، دانشگاه الوادی، الجزایر

یاسین عون

گروه مکانیک، دانشکده فنی، دانشگاه الوادی، الجزایر

امیره صبایحی

آزمایشگاه مواد، انرژی و محیط زیست، دانشگاه بسکره، الجزایر

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • M H Raza, K Movlaee, Y Wu, S M El‐Refaei, ...
  • S H Wang, S R Jian, G J Chen, H ...
  • Y Aoun, M Marrakchi, S Benramache, B Benhaoua, S Lakel, ...
  • C Zaouche, A Gahtar, S Benramache et al. Digest Journal ...
  • R S Kate, S C Bulakhe, and R J Deokate, ...
  • V Panneerselvam, K K Chinnakutti, S T Salammal, A K ...
  • M Z Muzamil Aftab, A Dilawar, F Bashir, and Z ...
  • M Sh Abdel-wahab, H K El Emam and W M ...
  • K Sato, S Kim, S Komuro and X Zhao, Japanese ...
  • N R Aswathy, J J Varghese, Sh Ranjini Nair, and ...
  • H S Rasheed, H I Abdulgafour, F M Hassan et ...
  • I L P Raj, S Valanarasu, A Asuntha et al. ...
  • X Chu, J Leng, J Liu et al. Journal of ...
  • M S Abdel-wahab, H K El Emam. & W M ...
  • Y Zhao, J Yan, Y Huang et al. Journal of ...
  • R S Kate, S C Bulakhe and R J Deokate, ...
  • H H Abdelhalium, M S Abdel-wahab, M T Tamm and ...
  • A Diha, S Benramache and L Fellah, Nano- Electron. Phys. ...
  • A Kumar and P P Sahay, Phys. A, ۱۲۷ (۲۰۲۱) ...
  • A Gahtar, S Benramache, A Ammari, A Boukhachem and A ...
  • U Alver, H Yaykaşlı, S Kerli and A Tanrıverdi, J. ...
  • H Aydin, Sh A. Mansour, C Aydin, A A Al-Ghamdi, ...
  • S Kerli, and U Alver, Rep. ۵۹ (۲۰۱۴) ۱۱۰۳. ...
  • D P Joseph, M Saravanan, B Muthuraaman, P Renugambal, S ...
  • M Aftab, M Z Butt, D Ali, F Bashir and ...
  • نمایش کامل مراجع