اثر فوق اشباع ایجاد شده توسط زیر لایه بر نحوه ی جوانه زنی نانوسیم سیلیکونی در فرآیند VLS
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 872
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES05_068
تاریخ نمایه سازی: 23 خرداد 1392
چکیده مقاله:
در این پژوهش به بررسی نقش ویفر سیلیکون به عنوان زیر لایه در نحوه جوانه زنی اولیه نانو سیم سیلیکون در فرایند بخار-مایع-جامد می پردازیم. اسا کار فرایند VLS جهت جوانه زنی و رشد نانو سیم بر پایه ی ایجاد فوق اشباع غلظتی در قطره کاتالیست می باشد. بر همین اساس، نحوه تشکیل آلیاژ Au-Si در جهت پی بردن به تاثیر زیر لایه در فوق اشباع، بررسی گردید و در طی بررسی ها از رابطه فوق اشباع گیبس-تامپسون برای تعیین حد پائینی قطر نانو سیم ها در هنگام جوانه زنی مورد استفاده قرار گرفت. همچنین، نتایج برگرفته از اختلاف نمودار آلیاژی Au-Si در مقیاس حجمی و نانو، نقش زیر لایه سیلیکون را بعنوان نیرو محرکه جوانه زنی نانو سیم Si تایید نمود. نتایج بدست آمده اینطور نشان می دهد که، زیر لایه سیلیکونی با ایجاد فوق اشباع اولیه در قطر کاتالیست موجب جوانه زنی و تعیین قطر نانو سیم می شود و پس از آن قطره با فوق اشباع بخار Si، موجب رشد لایه های نانو سیم می گردد. در نتیجه نانو سیم هایی با قطر 90-30 نانو متر و طول چندین میکرون تولید شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ارسطو تیموری
کارشناس ارشد مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه صنعتی شریف
مهسا حسینی کوه کمری
کارشناس ارشد مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه صنعتی شریف
مسعود عسگری
استادیار، دانشگاه صنعتی شریف
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :