بررسی تاثیر استفاده از نانولوله کربنی بر تحمل پذیری خطای حافظه ها و مقایسه آنها با روش های فعلی ساخت حافظه ها

تولید و ساخت حافظه ها یکی از بزرگترین بخش های صنعتی است. اما با مشکلات فنی متعددی نیز مواجه است مشکلاتی از قبیل نشت بار از خازن و ساختارهایی با پیچیدگی فزاینده و نیز حساسیت به خطاهای مختلفی که در مراحل کار با تجهیزات ذخیره داده ممکن است رخ بدهد سبب می شود تا سازندگان تراشه نتوانند بیش از این ابعاد تراشه های خود را کاهش دهند. همچنین مسائل قابل توجه دیگری که در این زمینه وجود دارد عبارتند از: تراشه های SRAM مربوط به سلول های بزرگ حافظه ، مشکل قرار دادن DRAM و حافظه فلش در کنار تراشه های منطقی و کندی زمان دسترسی به حافظه فلش و پایداری محدود آن است. این در حالی است. این در حالی است که رویکرد فشرده سازی بیش از پیش باعث به وجود آمدن خطاهای ناخواسته مانند همشنوایی در بین ارتباطات داخلی در حافظه شده است. و همچنین علاقه کاربران برای داشتن حافظه هایی با عمر طولانی باعث توجه دانشمندان به تکنولوژی های جدیدی گردیده که توانایی های زیادی برای رسیدن به این اهداف دارند. یکی از مهمترین این دستاوردها، نانو تکنولوژی است که در صنعت حافظه بسیار مفید به چشم آمده و توجهات زیادی را به خود معطوف کرده است.

کلیدواژه ها:

حافظه های کامپیوتری ، نانولوله کربنی ، تحمل پذیری خطا