بررسی اثر فاصله سیم ملتهب تا زیر لایه سیلیکون در فرآیند تولید فیلم نازیک کربن الماس گونه
محل انتشار: اولین کنفرانس رشد بلور ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 970
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BLUR01_005
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله قطعه ای سیلیکونی به عنوان زیر لایه انتخاب شد. سپس این قطعه در فاصله ای از سیم ملتهب قرار گرفت که کمترین فاصله 0/5 سانتیمتر و بیشترین فاصله در حدود 1/58 سانتیمتر است. سپس لایه نشانی کربن الماس گونه به روش ملتهب صورت گرفت. پس از تولید لایه فیلم نازک بر روی قطعه، شکل های گل مانند برجسته ای در ساختار فیلم ظاهر شد. با بررسی این گل های افتابگردانی شکل به کمک بررسی طیف سنجی پراکندگی میکرو رامان و عکس های SEM مشخص شد که پیدایش الگوهای گل مانند ناشی از اثر تنش در لایه های کربن الماس گونه بوده اند. میزان این تنش به شدت به فاصله سیم ملتهب تا زیر لایه سیلیکونی وابسته بوده است.
نویسندگان
حمید مطهری
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، بخش فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس
رسول ملک فر
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، بخش فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس
فاطمه صحراییان
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال، دربند، تهران
احمد بهرامی
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :