آنالیز عملکرد JL-DG MOSFET و بررسی پارامترهای آن در حوزه RF
محل انتشار: هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 667
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_083
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله عملکرد ماسفت دو گیتی بدون پیوند در ساختارهای مختلف و یکسری پارامترهای آن در حوزه RF بررسی گردیده اند، بویژه مشخصه های الکتریکی افرازه نانومتری ماسفت دو گیتی بدون پیوند بررسی و مقایسه عددی و نموداری نیز شده اند. تحلیل های مربوطه نشان میدهدJL-DG MOSFET افرازه پیشرفته ای است که توانایی مقیاس پذیری بالایی دارد. و با توجه به بررسی های بعمل آمده افزارهJL-DG MOSFET نمونه خوبی برای کنترل (SCE) ها و نوسانات زیر آستانه می باشند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
پیمان نیک سرشت
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد ممقان
سیدرضا حسینی
استادیار دپارتمان برق الکترونیک، دانشگاه آزاد خوی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :