ارایه و بررسی مدل تحلیلی برای تونل زنی خط و نقطه در ترانزیستور تونلی اثر میدانی

در بین ساختارهای ترانزیستوری جدید، ساختارهای ترانزیستور FinFET بیشتر به علت ساختار سادهتر و فرآیندساخت ارزانتر مورد توجه قرار گرفته است ترانزیستور تونل اثر میدانی ) TFET ( یک گزینه امیدوار کننده برای جانشینی MOSFET در ابعاد نانومتر است. به طور کلی، جریان TFET را می توان به دو جزء تونل زنی نقطه و تونل زنی خط تجزیهکرد. در این مقاله یک مدل تحلیلی فشرده برای جریان با توجه به تونلزنی نقطه ارایه می کنیم. سه پارامتر کلیدی برای طراحی یک TFET عبارتند از: شکاف باند، ضریب دی الکتریک و سطح داپینگ منبع. تونل زنی نقطه و تونل زنی خط وابستگی قوی به ضخامت دی الکتریک و غلظت داپینگ دارند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور تونل اثر میدانی ، ماسفت ، تونل زنی نقطه ، تونل زنی خط ، شکاف باند ، ضریب دی الکتریک ، سطح داپینگ