بررسی مقاومت الکتریکی لایه ی نازک کربن لایه نشانی شده به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما

لایه های نازک کربنی تحت شرایط مختلف لایه نشانی خصوصیات متفاوتی پیدا می کنند. ساختار و ترکیبات شیمیایی لایه با تغییر پارامترهای لایه نشانی از جمله توان اعمالی، نوع گاز و نوع زیر لایه قابل تغییر می باشد. در این مقاله لایه نازک کربنی روی زیرلایه سیلیکون و اکسید سیلیسیوم به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی پلاسما، در توان های مختلف، با گاز متان لایه نشانی شده است. در انتها پلاسمای تولید شده توسط روش طیف سنجی گسیلی نوری بررسی شده است. ضخامت فیلم ها با روش بیضی سنجی اندازگیری شده است و برای بررسی ساختار و مقاومت الکتریکی لایه ها از طیف سنجی رامان و جستجوگر چهار نقطه ای استفاده شده است.

کلیدواژه ها:

طیف سنجی گسیل نوری ، بیضی سنجی ، طیف سنجی رامان ، جستجوگر چهار نقطه ای ، لایه نشانی بخار شیمیایی پلاسما ، لایه نازک کربن