شبیه سازی اختلال رویداد منفرد در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق

در این مقاله با استفاده از نرم افزار شبیه ساز Silvaco به دلیل امکان اندازه گیری و شبیه سازی برقراری جریان در ترانزیستور و همچنین دارا بودن قابلیت بررسی اختلال رویداد منفرد تعداد الکترون- حفره های ایجاد شده ناشی از انرژی تخلیه شده توسط پرتو آلفا در یک ترانزیستور نوع FinFET مشخص شده و سه ساختار بدون اکسید، نیمه اکسید و تمام اکسید در حالتی که ترانزیستور در معرض تابش و بدون تابش قرار گیرند، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد در ساختار تمام اکسید به علت وجود لایهی اکسید مدفون، حامل های کمتری در اثر پرتو آلفا ایجاد می گردد. همچنین این نتایج نشان می دهند که این شرایط در ساختار نیمه اکسید و بدون اکسید به مراتب بحرانیتر می گردد

کلیدواژه ها:

اختلال رویداد منفرد ، تعداد الکترون- حفره ، سیلیسیم روی عایق FinFET