تاثیر ضخامت و نسبت غلظت یونی S/Cd بر روی شکاف انرژی لایه نازک نیم رسانای سولفید کادمیم
محل انتشار: نهمین کنفرانس مهندسی ساخت و تولید
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 975
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICME09_180
تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1388
چکیده مقاله:
در این تحقیق لایه نازک سولفید کادمیم به روش لایه نشانی شیمیای تشکیل شد. این پوشش بر روی دو زیر لایه شیشه پوشش داده شده با (ITO(Indium Tin Oxideو آلومینیم پوشش داده شده با لایه دی الکتریک SiO2 ایجاد شد. با تغییر زمان پوشش دهی، تغییرات ضخامت پوشش بر روی ITOاندازه گیری شد و اثر آن بر روی شکاف انرژی بررسی شد. همچنین اثر تغییر نسبت یونی S/Cd پوششهای زیر لایه SiO2 بر روی شکاف انرژی مورد آزمایش قرار گرفت. مقدار شکاف انرژی در مورد زیر لایه آلومینیم بین 127/2 تا 199/2و با زیر لایه ITO بین9/1 تا 71/2 اندازه گیری شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهشید سام
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مواد دانشگاه شیراز
میلاد مجتهدی
دانشجوی دکترای مهندسی مواد،دانشگاه علم و صنعت ایران
کمال جانقربان
استاد بخش مهندسی مواد دانشگاه شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :