یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین
محل انتشار: اولین همایش ملی فناوریهای نوین در علوم مهندسی
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,159
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CHKI01_024
تاریخ نمایه سازی: 8 دی 1388
چکیده مقاله:
در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود 1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد
نویسندگان
پیمان کرمی
کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک، قزوین، بولوار پژوهشگران،
توحید زرگر ارشادی
دکترای مهندسی برق گرایش مخابرات
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :