لطفا کمی صبر نمایید ...
ورود
جستجوی پیشرفته
استعلام پایان نامه
مقالات فارسی
ISI
کنفرانسها
ژورنالها
مقالات فارسی
مقالات ISI
کنفرانس های ایران
ژورنالها و مجلات
مجموعه مقالات
جلسات علمی
ورود / ثبت نام
مقالات فارسی
مقالات ISI
کنفرانس های ایران
ژورنالها و مجلات
مجموعه مقالات
جلسات علمی
استعلام پایان نامه
ظاهر تیره
استعلام پایان نامه
جستجوی مقالات داخلی
دسته بندی:
مقالات کنفرانسی
مقالات ژورنالی
کتابها
طرح های پژوهشی
اسناد پژوهشی
گزارشات
نوع نتایج:
دارای فایل کامل
دارای فایل Word
جستجو بدون در نظر گرفتن جایگاه کلمات صورت بگیرد
محدود کردن سال انتشار مقاله به:
همه سالها
سالهای معین:
جستجو
نمایش
کلیه اطلاعات
فقط عنوان مقاله
تعداد نتایج در هر صفحه
10
20
مرتب سازی با
عنوان مقاله
سال انتشار
نمایه سازی
صعودی
نزولی
فیلتر نتایج
مقاله ژورنالی
Improved Performance Analysis and Design of Dual Metal Gate FinFET for Low Power Digital Applications
نویسندگان:
P. Padmaja
،
D. Vemana Chary
،
R. Erigela
،
G. Sirisha
،
S. K. ChayaDevi
،
M. C. Pedapudi
،
B. Balaji
،
S. Cheerala
،
V. Agarwal
،
Y. Gowthami
سال انتشار 1403
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 6، دوره 37
تعداد صفحات:
8
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Investigation and Analysis of Dual Metal Gate Overlap on Drain Side Tunneling Field Effect Transistor with Spacer in ۱۰nm Node
نویسندگان:
S. Howldar
،
B. Balaji
،
K. Srinivasa Rao
سال انتشار 1403
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 5، دوره 37
تعداد صفحات:
9
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Design and Analysis of Symmetrical Dual Gate Tunnel Field Effect Transistor with Gate Dielectric Materials in ۱۰nm Technology
نویسندگان:
S. Buttol
،
B. Balaji
،
K. Srinivasa Rao
سال انتشار 1403
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 4، دوره 37
تعداد صفحات:
8
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Gate Oxide Thickness and Drain Current Variation of Dual Gate Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان:
S. Howldar
،
B. Balaji
،
K. Srinivasa Rao
سال انتشار 1403
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 3، دوره 37
تعداد صفحات:
9
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Design and Performance Analysis of High-k Gate All Around Fin-field Effect Transistor
نویسندگان:
K. Rohith Sai
،
K. Girija Sravani
،
K. Srinivasa Rao
،
B. Balaji
،
V. Agarwal
سال انتشار 1403
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 3، دوره 37
تعداد صفحات:
8
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Design and Performance Analysis of ۶H-SiC Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with Undoped and Recessed Area under Gate in ۱۰nm Technology
نویسندگان:
A. Krishnamurthy
،
D. Venkatarami Reddy
،
E. Radhamma
،
B. Jyothirmayee
،
D. Sreenivasa Rao
،
V. Agarwal
،
B. Balaji
سال انتشار 1402
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 12، دوره 36
تعداد صفحات:
8
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Design and Analysis of Hetero Dielectric Dual Material Gate Underlap Spacer Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان:
S. Howldar
،
B. Balaji
،
K. Srinivasa Rao
سال انتشار 1402
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 12، دوره 36
تعداد صفحات:
8
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Performance Analysis of High-K Dielectric Heterojunction High Electron Mobility Transistor for RF Applications
نویسندگان:
E. Radhamma
،
D. Vemana Chary
،
A. Krishnamurthy
،
D. Venkatarami Reddy
،
D. Sreenivasa Rao
،
Y. Gowthami
،
B. Balaji
سال انتشار 1402
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 9، دوره 36
تعداد صفحات:
7
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Design and Qualitative Analysis of Hetero Dielectric Tunnel Field Effect Transistor Device
نویسندگان:
S. Howldar
،
B. Balaji
،
K. Srinivasa Rao
سال انتشار 1402
محل انتشار:
ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 6، دوره 36
تعداد صفحات:
7
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت